型号:SI7866ADP-T1-E3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SO-8 | 描述:MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 40A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.4 毫欧 @ 20A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 125nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 5415pF @ 10V |
功率_最大 | 83W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市品惠科技有限公司 | 李先生0755-23996734 |
深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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SI7866ADP-T1-E3相关型号
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1206(3216 公制)
RES 4.32K OHM 1/4W .25% SMD 1206
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Vishay Siliconix
PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
1206(3216 公制)
RES 54.9 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- SI7860DP-T1-GE3
FET - 单
Vishay Siliconix
PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- RP10-243.3SEW/N/M2
DC DC Converters
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6-DIP 模块
CONV DC/DC 10W 9-36VIN 3.3VOUT
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标签,标记
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LABEL 3X2" BLACK ON GREEN 50/PK
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1206(3216 公制)
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